Разработка СВЧ микросхем (МИС), прецизионные измерения и точные модели активных компонентов
Индивидуальные проекты усилителей, смесителей, генераторов и аттенюаторов на базе транзисторных полупроводниковых технологий (GaAs, GaN, Si).
Определение оптимальных импедансов для достижения максимальной мощности, КПД и линейности транзисторов и усилителей.
Снятие S-параметров и ВАХ в импульсном режиме для термостабильного моделирования и анализа работы в режиме большого сигнала.
Создание точных нелинейных моделей (Angelov, EEHEMT, ASM) для симуляции в Keysight ADS, Cadence AWR, ANSYS HFSS.
Создание точных нелинейных моделей транзисторов
Измерение S-параметров в широком диапазоне токов и напряжений для получения статических и малосигнальных характеристик.
Проведение Load-Pull измерений на различных частотах и режимах смещения для анализа нелинейного поведения.
Получение "холодных" ВАХ для учета тепловых и trapping-эффектов в современных полупроводниковых приборах.
Использование современных моделей (Angelov, EEHEMT, ASM) и методов оптимизации для наилучшего соответствия между измеренными и смоделированными данными.
Проверка модели на тестовых схемах, отличных от тех, что использовались при экстракции параметров.
GaAs • GaN • Si • GaN HEMT
Keysight ADS • Cadence AWR • ANSYS HFSS
ASM • Angelov • EEHEMT
Наши исследования и публикации в области СВЧ-моделирования
Angelov vs. EEHEMT vs. ASM: подробный анализ точности и областей применения различных подходов к моделированию.
Методика и практические рекомендации по созданию точных моделей для современных GaN транзисторов.
Подходы к учету динамических эффектов в мощных полупроводниковых приборах для повышения точности прогнозирования.